iCu900MB12I4
1200 V SiC half-bridge module with 1,3 mΩ RDS(on) for efficient inverter, converter, and energy storage applications.
1200 V SiC half-bridge module with 1,3 mΩ RDS(on) for efficient inverter, converter, and energy storage applications.
/ 01 – Übersicht
Siliziumkarbid-MOSFET-Halbbrücke basierend auf qualifizierten diskreten Komponenten:
Entwickelt für Ingenieure, die eine kompakte und effiziente 1200-V-SiC-Halbbrücke suchen, kombiniert die iCu600MB12O2 geringe Leitverluste mit einer robusten Modularchitektur auf Basis der Laser-Schweißtechnologie und des D2M-Konzepts von iCuTech.
Typische Anwendungen:
Industrielle Wechselrichter, Leistungswandler, Energiespeichersysteme (ESS) sowie weitere hocheffiziente 1200-V-SiC-Anwendungen.
/ 02 – Spezifikationen
| Product Code | 000750 |
| Applikation | Industry |
| Spannung | 1200 V |
| Konfiguration | Half-Bridge |
| Abmessung (Länge) | 152 mm |
| Abmessung (Breite) | 62 mm |
| Features | LWT, D2M, CPL |
| Qualifikation | Industrial |
| RDS(on) | 1,3 mΩ |