iCu600MB12O2
1200 V SiC Halbbrückenmodul mit 3,7 mΩ RDS(on) für effiziente Wechselrichter-, Stromrichter- und Energiespeicheranwendungen.
1200 V SiC Halbbrückenmodul mit 3,7 mΩ RDS(on) für effiziente Wechselrichter-, Stromrichter- und Energiespeicheranwendungen.
/ 01 – Übersicht
Silicon Carbide MOSFET Halbbrücke basierend auf
AEC‑Q101 qualifizierten diskreten Komponenten:
✓ Typ. RDS(on) = 3,7 mΩ @ VGS = 18 V
✓ Sehr geringe Gate-Ladung
✓ Schnelles Schaltverhalten bei niedriger Kapazität
Für Entwickler, die ein kompaktes und effizientes 1200 V SiC Halbbrückenmodul suchen, kombiniert der iCu600MB12O2 geringe Leitverluste mit einer robusten Modularchitektur auf Basis der Laserschweißtechnologie und des D2M-Konzepts von iCuTech.
Typische Anwendungen:
Industrielle Wechselrichter, Stromrichter, ESS sowie weitere effiziente 1200 V SiC Anwendungen.
/ 02 – Spezifikationen
| Produkt Code | 000701 |
| Applikation | Industrie |
| Spannungsklasse | 1200 V |
| Konfiguration | Half-Bridge |
| Abmessung (Länge) | 152 mm |
| Abmessung (Breite) | 62 mm |
| Features | LWT, D2M, CPL |
| Qualifizierung | Industrie |
| RDS (ON) | 3,7 mΩ |