iCu600MB12I2
1200 V SiC Halbbrückenmodul mit 2,85 mΩ RDS(on) für effiziente Wechselrichter-, Stromrichter- und Energiespeicheranwendungen. module built with patented laser welding for traction inverters and industrial drives.
1200 V SiC Halbbrückenmodul mit 2,85 mΩ RDS(on) für effiziente Wechselrichter-, Stromrichter- und Energiespeicheranwendungen. module built with patented laser welding for traction inverters and industrial drives.
/ 01 – Übersicht
Silicon Carbide MOSFET Halbbrücke basierend auf
AEC‑Q101 qualifizierten diskreten Komponenten:
Für Entwickler, die ein kompaktes und effizientes 1200 V SiC Halbbrückenmodul suchen, kombiniert der iCu600MB12O2 geringe Leitverluste mit einer robusten Modularchitektur auf Basis der Laserschweißtechnologie und des D2M-Konzepts von iCuTech.
Kerndaten:
1200 V | Half-Bridge | SiC | RDS(on) typ. 2,85 mΩ | Produktcode 000702 | Aktiv
Typische Anwendungen:
Industrielle Wechselrichter, Stromrichter, ESS sowie weitere effiziente 1200 V SiC Anwendungen.
/ 02 – Spezifikationen
| Produkt Code | 000702 |
| Applikation | Industrie |
| Spannungsklasse | 1200 V |
| Konfiguration | Half-Bridge |
| Abmessung (Länge) | 152 mm |
| Abmessung (Breite) | 62 |
| Features | LWT, D2M, CPL |
| Qualifikation | Industrial |
| RDS(on) | 2,85 mΩ |